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RM48N100D3实物图
  • RM48N100D3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RM48N100D3

N沟道,电流:48A,耐压:100V

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品牌名称
RECTRON(丽正)
商品型号
RM48N100D3
商品编号
C3277816
商品封装
DFN-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)61W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)3.28nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)480pF

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。

商品特性

  • VDS = 100V, ID = 48A
  • R D S (ON) < 13.6 mΩ(V G S = 10V 时)
  • R D S (ON) < 22 mΩ(V G S = 4.5V 时)
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

-DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流-无卤

数据手册PDF