RM50P30D3
P沟道,电流:50A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM50P30D3
- 商品编号
- C3277812
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该产品采用意法半导体（ST）专有的第六代STripFET技术设计规则，并采用了全新的栅极结构。由此得到的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -50A
- RDS(ON) < 8.7 mΩ(VGS = -10 V时)
- RDS(ON) < 13.5 mΩ(VGS = -4.5 V时)
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源