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U3116S
U3116S
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- 描述
- 一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3116S
- 商品编号
- C400131
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 600ns | |
| 下降时间(tf) | 190ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 450ns | |
| 传播延迟 tpHL | 190ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.6V | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交13单
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