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U3116S
U3116S
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- 描述
- 一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3116S
- 商品编号
- C400131
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 600ns | |
| 下降时间(tf) | 190ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 450ns | |
| 传播延迟 tpHL | 190ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.6V | |
| 静态电流(Iq) | 300uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U3115S(D)/U3116S(D)是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动高压、高速功率MOSFET和IGBT而设计。该芯片提供独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出级具备大电流脉冲能力，并集成了直通防止和死区时间功能，可有效防止功率管直通，保护功率器件。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，其浮地通道最高工作电压可达+300V。
商品特性
- 集成自举二极管
- 高端悬浮自举设计，最高工作电压可达+300V
- 具备负瞬态电压承受能力
- 支持栅极驱动电压范围从9V到20V
- 提供VCC/VBS欠压保护
- 兼容3.3V、5V输入逻辑
- 内置直通防止和死区时间
- 优化的芯片传输延时特性
应用领域
- 家用电器
- 工业应用和驱动器
- 电机驱动
- 直流-交流转换器
- 暖通空调