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BR2N7002K2Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BR2N7002K2Q

1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA

描述
AEC-Q101车规场效应晶体管 N沟道 2N7002
商品型号
BR2N7002K2Q
商品编号
C36499007
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.029667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))2.7Ω@5V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)700pC@4.5V
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

SOT-23 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 灵敏的栅极触发电流和低维持电流
  • 静电保护达 2KV
  • 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
  • 无卤产品

应用领域

-用于通用开关和相位控制应用-满足汽车应用的严格要求

数据手册PDF