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BRCS1C0P06MFQ实物图
  • BRCS1C0P06MFQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS1C0P06MFQ

1个P沟道 耐压:60V 电流:5A

描述
AEC-Q101车规场效应晶体管 P沟道 60V 5A 0.1Ω
商品型号
BRCS1C0P06MFQ
商品编号
C36499025
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.047133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.3nC@10V
输入电容(Ciss)890pF
反向传输电容(Crss)64pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)90pF

商品概述

SOT23-6塑封封装P沟道场效应管。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -60 V;漏极电流(ID) = -5 A
  • 栅源电压为 -10 V时的导通电阻(RDS(on)1) ≤ 100 mΩ(典型值83 mΩ)
  • 栅源电压在 -2 V至 -4.5 V时的导通电阻(RDS(on)) ≤ 130 mΩ(典型值100 mΩ)
  • 符合AEC-Q101标准的高可靠性要求,无卤产品。

应用领域

  • PWM应用与负载开关,满足汽车应用的严格要求。

数据手册PDF