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BRCS850N10SDPQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS850N10SDPQ

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

描述
AEC-Q101车规场效应晶体管
商品型号
BRCS850N10SDPQ
商品编号
C36499023
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.48652克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)21.5W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品概述

TO-252 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.

商品特性

  • 阻抗低,开关速度快,符合AEC-Q101 标准高可靠性要求,无卤产品。
  • Low On-Resistance, fast switching, Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, HF Product.

应用领域

  • DC/DC转换器中的电源管理。
  • LED背光DC-DC升压转换器解决方案,满足汽车应用的严格要求。
  • Power Management in DC/DC Converter.
  • For LED Backlight DC-DC Boost Converter Solution, Meet the stringent requirements of automotive applications.

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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