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BRCS850N10SDPQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRCS850N10SDPQ

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

描述
AEC-Q101车规场效应晶体管
商品型号
BRCS850N10SDPQ
商品编号
C36499023
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.48652克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)21.5W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品概述

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 快速开关
  • 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
  • 无卤产品

应用领域

  • DC/DC 转换器电源管理
  • 适用于满足汽车应用严格要求的 LED 背光 DC-DC 升压转换器解决方案

数据手册PDF