FF225R12ME3

介绍了IGBT模块FF225R12ME3的相关技术信息，包括最大额定值、特征值，以及IGBT和二极管的输出特性、传输特性、开关损耗、瞬态热阻抗、反偏安全工作区、正向偏压特性等，还提及了负温度系数热敏电阻的温度特性、接线图和封装尺寸等初步数据。

• IGBT输出特性：IC = f(VCE)，VGE = 15V
• IGBT输出特性：IC = f(VCE)，Tvj = 125°C
• IGBT传输特性：IC = f(VGE)，VCE = 20V
• IGBT开关损耗：Eon = f(IC)，Eoff = f(IC)，VGE = ±15V，RGon = 3.3Ω，RGoff = 3.3Ω，VCE = 600V
• IGBT开关损耗：Eon = f(RG)，Eoff = f(RG)，VGE = ±15V，IC = 225A，VCE = 600V
• IGBT瞬态热阻抗：ZthJC = f(t)
• IGBT反偏安全工作区：IC = f(VCE)，VGE = ±15V，RGoff = 3.3Ω，Tvj = 125°C
• 二极管正向偏压特性：IF = f(VF)
• 二极管开关损耗：Erec = f(IF)，RGon = 3.3Ω，VCE = 600V
• 二极管开关损耗：Erec = f(RG)，IF = 225A，VCE = 600V
• 二极管瞬态热阻抗：ZthJC = f(t)
• 负温度系数热敏电阻温度特性：R = f(T)