- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 9kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 4.5kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 1.6kA | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.85V@15V,800A | |
| 输入电容(Cies) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ |
商品概述
采用沟槽/场截止IGBT3和发射极控制3二极管的绝缘模块。
商品特性
- 集电极-发射极电压VCES = 4500 V
- 额定集电极电流IC nom = 800 A / 重复峰值集电极电流ICRM = 1600 A
- 高直流稳定性
- 高动态鲁棒性
- 高短路能力
- 低集电极-发射极饱和电压VCE,sat
- Trench IGBT 3
- 集电极-发射极饱和电压VCE,sat具有正温度系数
- 采用AlSiC基板以提高热循环能力
- 高爬电距离和电气间隙
- 隔离基板
- 封装CTI > 600
- 封装增强绝缘等级达10.4 kV AC 60 s
应用领域
- 电机驱动
- 牵引驱动
- 多电平逆变器
- 大功率变流器
- 中压变流器