- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 515W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V,100A | |
| 输入电容(Cies) | 6.3nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 采用快速沟槽/场截止IGBT4和发射极控制4二极管技术
- 集成NTC温度传感器
- 低开关损耗
- 低V_CEsat
- V_CEsat具有正温度系数
- T_vjop = 150°C
- 高负载和热循环能力
- 铜基板
- PressFIT连接技术
- 标准外壳
应用领域
- 辅助逆变器
- 电机驱动器
- 伺服驱动器