- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 940W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 300A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.95V@15V,300A | |
| 输入电容(Cies) | 18.5nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 增加阻断电压能力至650V
- 扩展工作结温Tvjop
- 沟槽栅IGBT4技术
- 最高工作结温Tvjop = 150°C
- 饱和压降VCEsat具有正温度系数
- 4 kV交流1分钟绝缘等级
- 高机械坚固性
- 集成NTC温度传感器
- 绝缘基板
- 标准封装
应用领域
- 高频开关应用
- 斩波应用
- 电机传动
- UPS系统