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LM195K/883实物图
  • LM195K/883商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LM195K/883

LM195K/883

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LM195K/883
商品编号
C3197411
商品封装
TO-3-2​
包装方式
托盘
商品毛重
11.925克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录达林顿管
类型NPN
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)42V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

LM195/LM395是快速单片功率集成电路,具备完整的过载保护功能。这些器件可作为高增益功率晶体管,芯片上集成了限流、功率限制和热过载保护功能,使其几乎不可能因任何类型的过载而损坏。采用标准TO - 3晶体管功率封装时,LM195可提供超过1.0A的负载电流,并能在500 ns内切换40V电压。 热限制功能(这在分立设计中不易实现)的加入,为器件提供了近乎绝对的过载保护。过高的功耗或散热不足会使热限制电路关闭器件,防止过热。 LM195不仅显著提高了可靠性,还简化了功率电路。在一些保护异常困难的应用中,如开关稳压器、灯或螺线管驱动器(正常功耗较低),LM195尤其具有优势。 LM195易于使用,只需注意几点预防措施。与任何功率晶体管一样,过高的集电极 - 发射极电压会损坏LM195。当该器件用作低源阻抗的射极跟随器时,需要在基极引线中串联一个5.0kΩ的电阻,以防止可能的射极跟随器振荡。尽管该器件作为射极跟随器通常是稳定的,但该电阻可在不降低性能的情况下消除出现问题的可能性。最后,由于其具有良好的高频响应,建议进行电源旁路。 对于低功率应用(低于100 mA),请参考LP395超可靠功率晶体管。 LM195/LM395提供标准TO - 3、可伐合金TO - 5和TO - 220封装。LM195的工作温度范围为 - 55°C至 + 150°C,LM395为0°C至 + 125°C。

商品特性

  • 内部热限制
  • 输出电流大于1.0A
  • 典型基极电流3.0 μA
  • 开关时间500 ns
  • 饱和电压2.0V
  • 基极可承受高达40V电压而不损坏
  • 可直接与CMOS或TTL接口
  • 100%电气老化

应用领域

  • 1.0A电压跟随器

数据手册PDF