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IPP65R600E6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP65R600E6

1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A

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商品型号
IPP65R600E6
商品编号
C3197418
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)63W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)440pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)30pF

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。CoolMOS™ DE 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下,具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。

商品特性

  • 极低的损耗,归因于极低的品质因数 R dson*Qg 和 Eoss
  • 极高的换向耐用性
  • 易于使用/驱动
  • 通过 JEDEC 认证,采用无铅电镀,使用无卤模塑料

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级
  • 谐振开关 PWM 级
  • 电脑银盒
  • 适配器
  • 液晶显示器(LCD)与等离子显示器(PDP)电视
  • 雷电防护
  • 服务器
  • 电信
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF