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FS75R12KT4B15
FS75R12KT4B15
- 描述
- 特性：低VCEsat-沟槽式IGBT 4。 T_Vjop = 150℃。 VCEsat具有正温度系数。 Al₂O₃基板，热阻低。 高功率和热循环能力。 集成NTC温度传感器。应用：辅助逆变器。 电机驱动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS75R12KT4B15
- 商品编号
- C3190295
- 商品封装
- 插件,107.5x45mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 213.266667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.25V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.2V@2.4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.3nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 130ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 300ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.9mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
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