商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 95A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.95V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 4.6nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 阻断电压能力提升至650V
- 高短路耐受能力
- Tvjop = 150°C
- 沟槽型IGBT 4
- VCEsat具有正温度系数
- 集成NTC温度传感器
- 绝缘基板
- 铜基板
- 焊接连接技术
应用领域
- 电机驱动