- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 95A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.95V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.6nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 145pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 导通损耗(Eon) | 385uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 阻断电压能力提升至650V
- 高短路耐受能力
- Tvjop = 150°C
- 沟槽型IGBT 4
- VCEsat具有正温度系数
- 集成NTC温度传感器
- 绝缘基板
- 铜基板
- 焊接连接技术
应用领域
- 电机驱动