嘉立创上市
购物车0
FP75R07N2E4B11引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FP75R07N2E4B11

FP75R07N2E4B11

商品型号
FP75R07N2E4B11
商品编号
C3190318
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)20mW
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)95A
集电极脉冲电流(Icm)150A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.55V
栅极阈值电压(Vge(th))1.95V@15V,75A
栅极电荷量(Qg)750nC
属性参数值
输入电容(Cies)4.6nF@25V
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)145pF
开启延迟时间(Td(on))25ns
关断延迟时间(Td(off))210ns
导通损耗(Eon)385uJ
关断损耗(Eoff)3.35mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

FP75R07N2E4B11 EconoPIM2 模块,采用沟槽/场截止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管技术,并集成 PressFIT 连接和 NTC 温度传感器。

商品特性

  • 增加阻断电压能力至 650V
  • 高短路能力,短路电流自限流
  • 采用沟槽 IGBT 4 技术
  • Tvjop = 150°C
  • VCEsat 具有正温度系数
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 绝缘底板
  • 铜底板
  • 采用 PressFIT 连接技术

应用领域

  • 电机驱动

数据手册PDF