- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP75R12N2T7B11BPSA1
FP75R12N2T7B11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- 商品编号
- C3190298
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.77V；1.55V；1.69V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.55V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 15.1nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 53pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 146ns；162ns；169ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 390ns；320ns；440ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.3mJ；10.6mJ；8.05mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 7.76mJ；4.95mJ；9.51mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- V_CES = 1200 V
- I_Cnom = 75 A / I_CRM = 150 A
- TRENCHSTOP IGBT7
- 低 V_CEsat
- 过载运行温度高达 175°C
- 高功率和热循环能力
- 集成 NTC 温度传感器
- 铜基板
- Al2O3 基板，具有低热阻
- PressFIT 接触技术
应用领域
- 辅助逆变器
- 电机驱动
- 伺服驱动