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HMC1126ACEZ-R7

GaAs、pHEMT、低噪声放大器，400 MHz至52 GHz

描述: HMC1126ACEZ-R7 是一款基于砷化镓 (GaAs) 的伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声放大器，工作频率范围从 400 MHz 到 52 GHz。该放大器提供 12 dB 的典型增益，28.5 dBm 的典型输出三阶交调截点 (OIP3)，17.5 dBm 的典型 1 dB 增益压缩输出功率 (OP1dB)，以及 3.5 dB 的典型噪声系数。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC1126ACEZ-R7
商品编号: C3188755
商品封装: LGA-24-CAV(5x5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

HMC1126ACEZ 是一款砷化镓 (GaAs) 伪形态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声放大器，工作频率范围为400 MHz至52 GHz。HMC1126ACEZ提供12 dB的典型增益、28.5 dBm的典型输出三阶截点 (OIP3)、17.5 dBm的1 dB增益压缩时的典型输出功率 (OP1dB)，以及在10 GHz至26 GHz频段内3.5 dB的典型噪声系数。HMC1126ACEZ需要从5 V电源中汲取85 mA电流。所有通常所需的操作外部无源元件（交流耦合电容和电源去耦电容）都已集成，这有助于实现小而紧凑的印刷电路板 (PCB) 尺寸。

HMC1126ACEZ 采用5.00 mm x 5.00 mm、24引脚芯片阵列小外形无引线腔体 (LGA_CAV) 封装。

应用领域

测试仪器仪表

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