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HMC8412TCPZ-EP-PT

0.4 GHz至11 GHz低噪声放大器

描述: HMC8412TCPZ-EP是一款砷化镓（GaAs）伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC），具有低噪声、宽带特性，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。该放大器提供典型增益≤15.5 dB，典型噪声系数1.4 dB（0.4 GHz至3 GHz），典型输出三阶交调截点≤33 dBm。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC8412TCPZ-EP-PT
商品编号: C3189894
商品封装: LFCSP-6(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品概述

HMC8412TCPZ-EP是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，是一款低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。 HMC8412TCPZ-EP典型增益≤15.5 dB，在0.4 GHz至3 GHz频率范围内典型噪声系数为1.4 dB，典型输出三阶截点（OIP3）≤33 dBm，漏极电源电压为5 V时仅需60 mA电流。典型饱和输出功率（P_SAT）≤20.5 dBm，使这款低噪声放大器（LNA）可作为许多平衡、同相和正交（I/Q）或镜像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。 HMC8412TCPZ-EP还具备内部匹配至50 Ω的输入和输出端口，非常适合基于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。 HMC8412TCPZ-EP采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装。

商品特性

低噪声系数：在0.4 GHz至3 GHz频率范围内典型值为1.4 dB
单正电源供电（自偏置）
高增益：典型值≤15.5 dB
高OIP3：典型值≤33 dBm
符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装

应用领域

测试仪器
电信

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	属性	参数值
	商品目录	RF放大器
	频率	400MHz~11GHz
	增益	14dB

	属性	参数值
	噪声系数	1.8dB
	工作电压	2V~6V
	工作电流	60mA