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A2T
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.2A
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- 描述
- A 2 T采用沟槽处理技术设计，可实现极低的导通电阻、快速的开关速度并提高传输效率。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种DC - DC应用的高效可靠器件。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- A2T
- 商品编号
- C3151754
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 200V/60A
- RDS(ON)=32 mΩ（典型值），VGS = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合 RoHS 标准）
应用领域
- 逆变器系统电源管理-N 沟道 MOSFET