G02P06
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-1.6A,耐压:-60V
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- 品牌名称GOFORD(谷峰)
商品型号
G02P06商品编号
C3151759商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 566pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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