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G06P01E
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:12V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G06P01E
- 商品编号
- C3151760
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.087nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 253pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品特性
- 漏源电压VDS:-12V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-4A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 28 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -3.7V时):< 32 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -2.5V时):< 40 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -1.8V时):< 63 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型)ESD(HBM):>2KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器