温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
3401H
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 3401H
- 商品编号
- C3151755
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 6A
- 当栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换