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PDN2311S
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
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- 描述
- P沟道,-20V,-4.7A
- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 商品型号
- PDN2311S
- 商品编号
- C388392
- 商品封装
- SOT-23-3S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- -20V、-4.7A，在VGS = -4.5V时，RDS(ON)=50mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有绿色环保器件可供选择
- 适用于-1.8V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-手持仪器
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