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FDMA430NZ
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 RDS(on) @VGS=2.5V。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA430NZ
- 商品编号
- C388425
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 2.5V时的RDS(on)。
商品特性
- VGS = 4.5V、ID = 5.0A时，RDS(on) = 40mΩ
- VGS = 2.5V、ID = 4.5A时，RDS(on) = 50mΩ
- 新型MicroFET 2x2mm封装，低外形高度 - 最大0.8mm
- 典型HBM ESD保护等级 > 2.5kV
- 不含卤化物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组