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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PDK6912

1个N沟道 耐压:60V 电流:5A

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描述
N沟道,60V,5A
商品型号
PDK6912
商品编号
C388391
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.161克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.79W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)725pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)65pF

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 60V、5A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 75mΩ
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动
  • 电动工具
  • LED照明

数据手册PDF