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LPM9029CSOF
停产 LPM9029CSOF
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- 描述
- N+P沟道MOS
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM9029CSOF
- 商品编号
- C387732
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
LPM9029C集成了N沟道和P沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品LPM9029C无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- NMOS：V_NDS = 20V，I_ND = 12A
- NMOS：在VGS = 2.5V时，R_NDS(ON) < 26mΩ
- NMOS：在VGS = 4.5V时，R_NDS(ON) < 20mΩ
- PMOS：V_PDS = -20V，I_PD = -4.5A
- PMOS：在VGS = -2.5V时，R_PDS(ON) < 100mΩ
- PMOS：在VGS = -4.5V时，R_PDS(ON) < 68mΩ
- 超高密度单元设计
- 极低阈值电压
- 小封装SOP-8
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC-DC转换器电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电