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LPM3413B3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- LPM3413采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品LPM3413为无铅产品
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM3413B3F
- 商品编号
- C387743
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
LPM3413采用先进的沟槽技术，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品LPM3413为无铅产品。LPM3413有绿色产品订购选项。LPM3413在电气性能上完全相同。
商品特性
- -20V/2.0A，在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) ≤ 130 mΩ（最大值）
- -20V/3A，在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) ≤ 95 mΩ（最大值）
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- SOT23封装
应用领域
- 便携式媒体播放器/MP3播放器-蜂窝手机和智能手机-液晶显示器-数码相机传感器-无线网卡
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