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LPM2301B3F
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- LPM2301是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM2301B3F
- 商品编号
- C387744
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
LPM2301 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -20V / -2.0A,RDS(ON) = 170 mΩ(典型值)@VGS = -2.5V
- -20V / -2.0A,RDS(ON) = 130 mΩ(典型值)@VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- SOT23 封装
应用领域
- 便携式媒体播放器
- 蜂窝和智能手机
- LCD
- DSC 传感器
- 无线网卡
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