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IPP015N04N G
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- N沟道 40V 120A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP015N04N G
- 商品编号
- C386333
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.3nF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品