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IR2106STRPBF
高端和低端驱动器
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- 描述
- 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2106STRPBF
- 商品编号
- C386354
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 350mA | |
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 150ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpLH | 220ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 120mA |
商品概述
IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高可在 600 伏下工作。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作设计，可在高达 +600V 下完全工作，耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源范围为 10 至 20V（IR2106(4)）
- 双通道欠压锁定
- 与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
- 双通道传播延迟匹配
- 逻辑地和功率地偏移 +/-5V
- 较低的 di/dt 栅极驱动器，具有更好的抗噪性
- 输出与输入同相（IR2106）
- 也提供无铅版本