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BSC035N04LS G
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC1标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC035N04LS G
- 商品编号
- C386366
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@36uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
交货周期
订货14-18个工作日购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个5000个/圆盘
总价金额：
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