温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP041N04N G
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道 40V 80A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP041N04N G
- 商品编号
- C386373
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@45uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤