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SL10P04S
1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
- 描述
- 类型 P VDSS(V) -40 ID@TC=65?C(A) -10 PD@TC=65?C(W) 4.2 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.45V 22
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL10P04S
- 商品编号
- C3041272
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
G3035L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V,漏极电流(ID) = -10 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理