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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1.41mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68.6nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.593nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 297pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为3.05 mm × 1.77 mm的CSP封装
- 低外形高度为0.11mm
- 栅极ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
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