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P2610BD
N沟道增强型MOSFET,电流:36A,耐压:100V
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- 品牌名称
- U-NIKC(旭康微)
- 商品型号
- P2610BD
- 商品编号
- C3034554
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.918nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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