- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
4N50L
耐压:500V 电流:5A
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 4N50L
- 商品编号
- C33962604
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4888克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 76W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 391pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38.3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。所得器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- V_DSS = 500 V
- I_D = 4 A
- R_DS(ON) = 2.05 Ω (V_GS = 10 V)