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5N50L
耐压:500V 电流:5A
- 描述
- 特性：采用先进的平面VDMOS技术制造。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 高雪崩能量。 VDSS = 600V。 ID = 5A。 RDSS = 1.6Ω。 低RDo(on)。 低栅极电荷（典型值Qg = 12.8nC）。 100% UIS测试。 符合RoHS标准
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 5N50L
- 商品编号
- C33962605
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4904克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 537.5pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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