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NCP1393BDR2G

内置振荡器的高压半桥驱动器

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描述: NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCP1393BDR2G
商品编号: C380792
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.112克(g)

商品参数

商品概述

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。由于采用了专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的母线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz之间进行调节。可调欠压保护功能确保母线电压在正确的工作范围内。内部100 ms的PFC延迟定时器可保证在母线电压完全稳定后再开启下游主转换器。该器件提供固定死区时间，有助于降低直通电流。

商品特性

宽工作频率范围 - 从25 kHz至250 kHz
最小频率调节精度 ± 3%
固定死区时间 - 0.6 μs
可调欠压保护，便于与简单PFC配合使用
100 ms PFC延迟定时器
针对严重故障情况（如过温或过压保护）的锁存输入
内部16 V VCC钳位
最大50 μA的低启动电流
1 A / 0.5 A峰值灌/拉电流驱动能力
可在高达600 V母线电压下工作
内部温度关断功能
SOIC - 8封装
这些器件为无铅产品

应用领域

平板显示器电源转换器
低成本谐振开关电源
笔记本电脑用高功率AC/DC适配器
离线电池充电器
灯镇流器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	500mA

	属性	参数值
	工作电压	8V~16V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃