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BL2302G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性：20V/3.6A，RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V。 20V/3.1A，RDS(ON)=115mΩ@VGS=2.5V。 无铅。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 静电敏感设备。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BL2302G
- 商品编号
- C380908
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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