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SS8050G-Y1
NPN型硅外延平面晶体管
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- 描述
- 特性：集电极电流 (Ic = 1.5A)，与SS8550互补。 集电极耗散功率：Pc = 300mW (Tc = 25°C)。应用：高集电极电流
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- SS8050G-Y1
- 商品编号
- C380930
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 特征频率(fT) | 190MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@800mA,80mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
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