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STP28NM60ND
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP28NM60ND
- 商品编号
- C3018647
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 18.0A、500V，RDS(导通电阻)(典型值) = 0.25 Ω（VGS = 10 V时）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源-有源功率因数校正
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