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STQ1NC45R-AP
1个N沟道 耐压:450V 电流:0.5A
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- 描述
- SuperMESH系列是成熟的基于条形结构的PowerMESH布局经过极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列产品在最严苛的应用场景中具备出色的dv/dt能力。该系列产品完善了意法半导体的高压功率MOSFET全系列产品阵容，其中包括具有革新性的MDmesh产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STQ1NC45R-AP
- 商品编号
- C3018701
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3249克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- 符合RoHS标准-导通电阻低-栅极电荷低-峰值电流与脉冲宽度曲线-电感式开关曲线
应用领域
- 适配器-充电器-开关电源