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T835T-8G-TR
800V 40mA
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- 描述
- 8A 800V 150°C D2PAK Snubberless T系列三端双向可控硅
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- T835T-8G-TR
- 商品编号
- C3018657
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 800V | |
| 通态电流(It) | 8A | |
| 浪涌电流 | 63A | |
| 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.6V | |
| 门极触发电流(Igt) | 35mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.3V | |
| 保持电流(Ih) | 40mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
T835T-8G双向可控硅采用SMD封装，可用于需要高换向能力的通用交流开关中的通断或相位角控制功能。在遵守规定限制的情况下，T835T-8G可无需缓冲RC电路使用。D2PAK封装符合UL-94 V0可燃性树脂标准。封装为环保型Ecopack®2级（符合RoHS和无卤素标准）。
商品特性
- 高静态dV/dt
- 高动态关断换向（dI/dt）c
- 最高结温150℃
- 三象限
- VDSM、VRSM浪涌能力为900V
- 高静态dV/dt使其具有高抗误触发能力
- （dI/dt）c使其在高温环境下关断性能更好
- 工作结温扩展至150℃，增加热裕度
- 非绝缘接线片带来良好热阻
应用领域
- 通用交流线路负载切换
- 电机控制电路
- 家用电器
- 加热设备
- 照明设备
- 浪涌电流限制电路
- 过压撬棒保护