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TDM3407
1个P沟道 耐压:40V 电流:16.5A
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- 描述
- 类型 P 漏源电压(Vdss) -40 阈值电压(Vgs) 25 连续漏极电流(Id) - 16.5 导通电阻(mΩ) 11 输入电容(Ciss) 2780 反向传输电容Crss(pF) 330 栅极电荷(Qg) 59
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3407
- 商品编号
- C380238
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TDM3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- -40V PMOS
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 17mΩ
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 11mΩ
- 在VGS = -20V时，RDS(ON) < 9.5mΩ
- 可靠耐用
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级通过8KV
- 提供无铅产品
- SOP-8封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理