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AP10TN135N
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.1A
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- 描述
- 采用创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。特殊设计的 sOT-23 封装具有良好的热性能，广泛适用于所有使用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用，适用于电压转换或开关应用。
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP10TN135N
- 商品编号
- C380194
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
AP10TN135系列采用创新的设计和硅制程技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 特殊设计的SOT - 23封装具有良好的热性能，在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐，适用于电压转换或开关应用。
商品特性
~~- 驱动要求简单-开关特性快速-栅极电荷低-符合RoHS标准且无卤