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AP2305AI
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.9A
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- 描述
- AP2305AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2305AI
- 商品编号
- C3011418
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP3415A采用先进的沟槽技术。它运用最新的加工工艺，实现了高单元密度，并在具备高重复雪崩额定值的情况下降低了导通电阻。这些特性相结合，使该设计成为适用于功率开关应用及各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 37mΩ
- 人体模型静电放电（HBM）耐受电压为3000V
应用领域
- 专为脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用而设计