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AP3415AI
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- AP3415A采用先进的沟槽技术。它运用最新的加工工艺，实现了高单元密度，并在具备高重复雪崩耐量的同时降低了导通电阻。这些特性相结合，使该设计成为适用于功率开关应用及多种其他应用的高效且可靠的器件
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP3415AI
- 商品编号
- C3011417
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 939pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
AP7N65F/P 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 650V，ID = 7A
- RDS(ON) < 1.2 Ω @ VGS = 10 V（典型值：1.0 Ω）
应用领域
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）