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AP2301AI
P沟道增强型MOSFET,电流:-3.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2301AI
- 商品编号
- C3011416
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
AP40N20P/T 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = -20V ID = -3.3A
- RDS(ON) < 80mΩ @ VGS = -4.5V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源