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AP4N65D
650V, 4A, N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 650V N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗，改善开关性能。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP4N65D
- 商品编号
- C3011405
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.5pF |
商品概述
AP5N30D是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 300V，漏极电流（ID） = 5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 1.5Ω
应用领域
- 不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)