温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP5N30D
N沟道,电流:5A,耐压:300V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP5N30D
- 商品编号
- C3011400
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 291pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
AP5N30D是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 300V,漏极电流(ID) = 5A
- 栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 1.5Ω
应用领域
-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)